报告题目：铁电薄膜器件及其在电子信息领域的应用
报 告 人：龙啸 博士
报告时间：2023年3月24日 上午9:00
报告地点：青山校区教六楼6306会议室
报告摘要：
随着信息技术飞速发展，传统冯诺依曼结构（Von-Neumann Architecture）的瓶颈也愈发凸显，使得电子电路性能受限于诸多问题，例如高功耗、高结构复杂度和低可靠性等。近年来研究指出，铁电信息器件将有助于实现非易失性存储（Non-volatile Memory）和神经计算（Neuromorphic Computing）等功能，从而有效解决上述问题。铁电材料因电场驱动非易失性极化翻转的特性，具备超快的读写速度（10~100 ns）、超低功耗（1~50 fJ bit-1）等优点。其多畴结构使得器件具备多级存储、忆阻特性，是模拟神经突触可塑性的重要基础。报告人研究的钛酸钡铁电隧道结，为世界首创仅借助铁电层自生光激发实现信息存储功能的器件。该研究成果拓展了光致铁电极化翻转的理论基础和设计思路，为光铁电（Photoferroelectrics）领域的基础前沿问题。此外，报告人通过系统地研究与CMOS兼容的铪基铁电隧道结，取得了抑制晶界离子迁移的重要成果，为如何在产业化中增强铁电信息器件的稳定性、降低失效率，提供了重要的技术路线。
报告人简介：
龙啸，武汉科技大学无机非金属材料工程09级校友，材料科学博士，毕业于巴塞罗那自治大学 （Universidad Autónoma de Barcelona）的巴塞罗那材料研究所（ICMAB），单位隶属于西班牙高等科学研究理事会 （CSIC）。长期从事铁电材料与器件方面的研究，在光致铁电翻转和铁电/离子迁移协同效应研究领域取得了一系列突出成果，近年来先后在Nature Communications、Advanced Electronic Materials、ACS Applied Electronic Materials等国际权威期刊发表论文。其研究方向是当前国际铁电信息器件领域的热点。
